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在使用箱式可控氣氛爐時這些安全措施您一定要掌握

箱式可控氣氛爐的種類很多，有周期式和連續(xù)式兩種。周期爐：有井式爐和密封箱式爐（又稱多用爐），適用于多品種小批量生產(chǎn)，可用于光亮淬火、光亮退火、滲碳、碳氮共滲等熱處理。連續(xù)爐：有推桿式、轉(zhuǎn)底式及各種形式的連續(xù)式可控氣氛滲碳生產(chǎn)線等，適用于大批量生產(chǎn)，可以進行光亮淬火、回火、滲碳及碳氮共滲等熱處理。本設(shè)備具備的安全措施：1、設(shè)備爐溫低于750℃時，可燃氣電磁閥自動鎖死，不能打開;爐溫高于750℃時，可燃氣電磁閥才能打開向爐內(nèi)供氣;爐溫低于750℃時，氮氣電磁閥自動打開，向爐內(nèi)通入...

箱式可控氣氛爐具有哪些作用，您是否清楚？

箱式可控氣氛爐殼體采用優(yōu)質(zhì)碳鋼焊接，外形美觀大方，結(jié)構(gòu)設(shè)計先進合理，智能溫度控制儀，備標準PID、人工智能調(diào)節(jié)APID或MPT等多種調(diào)方式，具有自整定、自學習功能，無超調(diào)及無欠調(diào)的優(yōu)良控制特，具備30段程序控制功能，可實現(xiàn)任意斜率的升、降溫控制，具有跳轉(zhuǎn)循環(huán)）、運行、暫停及停止等可編程/可操作命令，并允許在程序的控制運行中隨時修改程序；采用具備曲線擬合功能的人工智能調(diào)節(jié)算法，能獲得光滑平順的曲線控制效果；爐膛采用多晶莫來石維材料，真空氣氛爐保溫節(jié)能。箱式可控氣氛爐廣泛用于高等...

金屬基復合材料

金屬基復合材料（MetalMatrixcomposites,MMCs）主要是指以金屬、合金為基體材料，以纖維、晶須、顆粒等高強度材料作為增強體，制備而成的一種復合材料。MMCs的常用的制備方法有：粉末冶金法、原位生成復合法、噴射成形法、鑄造凝固成型法等。按照不同增強相可以分為連續(xù)纖維增強（主要有碳及石墨纖維、碳化硅纖維、硼纖維、氧化鋁纖維、不銹鋼絲和鎢絲）、非連續(xù)纖維增強（包括碳化硅、氧化鋁、碳化硼等顆粒增強，碳化硅、氧化鋁、等晶須增強，氧化鋁纖維等短纖維增強）和疊層復合三類...

碳化硅半導體封裝核心技術(shù)分析——銀燒結(jié)技術(shù)

隨著電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，電子產(chǎn)品正在向著質(zhì)量輕、厚度薄、體積小、功耗低、功能復雜、可靠性高這一方向發(fā)展。這就要求功率模塊在瞬態(tài)和穩(wěn)態(tài)情況下都要有良好的導熱導電性能以及可靠性。功率模塊的體積縮小會引起模塊和芯片電流、接線端電壓以及輸入功率的增大，從而增加了熱能的散失，由此帶來了一些了問題如溫度漂移等，會嚴重影響功率器件的可靠性，加速器件的老化。為了解決高溫大功率器件所面臨的問題，近年來，納米銀燒結(jié)技術(shù)受到了越來越多研究者的關(guān)注。圖1蘋果手機主板上的器件集成度越來越高低溫燒結(jié)互連技術(shù)...

碳化硅晶體的高溫退火處理

碳化硅SiC晶體生長較常見，較成熟的方法仍然是物理氣相輸運法（PVT），該方法是一種氣相生長方法，生長溫度高，對原材料以及工藝參數(shù)等都有很高的要求。近年來，國內(nèi)外對PVT工藝的開發(fā)投入了大量的時間和精力，SiC晶體的質(zhì)量和尺寸等方面有了很大的突破和提高，但是晶體中仍然存在組織缺陷和微觀應(yīng)力。組織缺陷的存在會惡化SiC基器件的性能，從而影響器件的應(yīng)用，而應(yīng)力的存在則會使得SiC晶體在加工階段容易碎裂，從而降低SiC晶片的成品率。因此，降低SiC晶體中存在的組織缺陷和微觀應(yīng)力就顯...

您對真空氣氛燒結(jié)爐了解多少？知道它采用什么原理嗎？

真空氣氛燒結(jié)爐用于特種陶瓷，精密陶瓷，熒光粉，發(fā)光粉，粉末冶金，鋰電池材料等，無機材料的燒結(jié)，高溫燒結(jié)爐廣泛應(yīng)用于1050度以下電子產(chǎn)品在保護氣氛或空氣中的預(yù)燒、燒成或熱處理工藝，包括導體漿料、電阻漿料及介質(zhì)等厚膜電路，電阻、電容、電感等電子元件的端頭燒銀、燒成，電路管殼、晶振等元件的玻璃緣子封裝等。燒結(jié)爐在鋼鐵行業(yè)、冶金行業(yè)、電子行業(yè)等都有廣泛應(yīng)用。燒結(jié)爐主要用于陶瓷粉體、陶瓷插芯和其他氧化鋯陶瓷的燒結(jié)，金剛石鋸片的燒結(jié)，也可用于銅材，鋼帶退火等熱處理。也用于金屬粉末在保護...

第三代半導體材料之碳化硅

碳化硅SiC是一種由硅﹙Si﹚與碳﹙C﹚以共價鍵為主結(jié)合而成的化合物，其基本單元為Si-C四面體，其中Si原子位于中心，周圍為C原子。SiC所有的結(jié)構(gòu)均由Si-C四面體以不同的堆積方式構(gòu)成。目前已發(fā)現(xiàn)的碳化硅同質(zhì)異型晶體結(jié)構(gòu)有200多種，其中六方結(jié)構(gòu)的4H型SiC（4H-SiC）具有高臨界擊穿電場、高電子遷移率的優(yōu)勢，是制造高壓、高溫、抗輻照功率半導體器件的優(yōu)良半導體材料，也是目前綜合性能好、商品化程度高、技術(shù)成熟的第三代半導體材料，它具有：（1）臨界擊穿電場強度是硅材料近1...

ITO靶材常壓燒結(jié)工藝進展

20世紀90年代初興起了一種新的靶材燒結(jié)方法-常壓燒結(jié)法，它是指在一定氣氛和溫度條件下對ITO靶材的素坯進行燒結(jié)，通過對燒結(jié)過程中各因素的控制，來有效控制ITO素坯晶粒的生長，從而達到靶材的晶粒分布均勻性及高致密化，該方法對粉末的燒結(jié)活性和靶材變形的控制都有很高的要求。通常靶材尺寸越大，濺射到平板上的拼縫就越少，價值也越高。國外可以做寬1200毫米、長近3000毫米的單塊靶材，國內(nèi)只能制造不超過800毫米寬的。日企ITO制備工藝1.日本東曹公司日本東曹公司的的技術(shù)方案中，將粒...